復(fù)旦微電子考研心得
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發(fā)表于 2010-09-03 01:16
樓主
復(fù)旦的復(fù)試還是很公正的,復(fù)試的時(shí)候分了三個(gè)組,每組5個(gè)老師,4個(gè)設(shè)計(jì)1個(gè)工藝,4個(gè)設(shè)計(jì)包括模擬和數(shù)字的.先是英語聽說,讓你讀一段專業(yè)英語,然后用英語總結(jié),呵呵,說真的,那段英語我沒看懂.然后讓我用英語介紹下合肥,我又蒙了!英語測(cè)試后是專業(yè)測(cè)試,都是很基礎(chǔ)的問題,不過范圍很廣,從模電,數(shù)電,到模擬設(shè)計(jì),工藝,大家也不要怕,老師也知道你不怎么懂的,個(gè)人感覺我回答的不好.復(fù)試出來的時(shí)候,楸了一眼,足足記錄了兩頁紙,老師對(duì)每一項(xiàng)都打分,感覺好象我說的每一句話,他們都記錄下來了,感嘆一下!
介紹下心得和情報(bào)吧!復(fù)旦沒有想象的那么難,但也不簡(jiǎn)單。分析一下,復(fù)旦專業(yè)課最高分132,還是一個(gè)哈工大的人考的,所以專業(yè)課難大家都難,復(fù)旦的學(xué)生專業(yè)課上的優(yōu)勢(shì)沒有想象的那么大,但同樣不能忽視專業(yè)課的復(fù)習(xí)。考復(fù)旦,基礎(chǔ)課一定要好,英語70+數(shù)學(xué)130+,專業(yè)課考個(gè)110左右,這樣總分就差不多了。 1.復(fù)旦07年設(shè)計(jì)的復(fù)試線是343,比06年的369低了20多分吧!今年題目比較難。 2.大家不要輕信網(wǎng)上買的復(fù)旦資料,我買了一份,200塊,拿到手一看一無是處,我復(fù)習(xí)的時(shí)候根本就沒有看買的那些資料。 3.復(fù)試非常重要,今年有個(gè)360+的被刷了。專業(yè)背景很重要,所以不鼓勵(lì)跨專業(yè)。 下面談?wù)剬I(yè)課復(fù)習(xí) 1)模電 看的是(童)的書,錯(cuò)誤很多,我是都看完了,課后習(xí)題全做了。又聽網(wǎng)上介紹買了一本清華出的習(xí)題集(唐競(jìng)新),作完后感覺沒什么用處,題目重復(fù)很多,還超范圍,可以說完全沒必要買這本習(xí)題集。大家把童的書多看幾遍就沒問題了。今年聽說復(fù)旦出了一本模電,沒有看過,不評(píng)論。 2)數(shù)電 看的是復(fù)旦的教材(陳光夢(mèng))和配套的教學(xué)參考,這本書寫的非常不錯(cuò),內(nèi)容和講解都很詳細(xì),錯(cuò)誤只有一兩處吧!課后習(xí)題當(dāng)然是全做了,06年考了一個(gè)奇偶校驗(yàn)的題和課后習(xí)題很像,07年的題的解題思路和教學(xué)參考上講的一樣。讀看幾遍吧,基礎(chǔ)差的可以找別的數(shù)電來加強(qiáng)一下。 3)集成電路部分 說真的,這部分內(nèi)容我還是不知道怎么考的,非常亂。06年出了一道VHDL的題,07年一道版圖,一點(diǎn)規(guī)律都摸不到。要說經(jīng)驗(yàn),先把考試大綱上要求的概念背下來吧,再看看CMOS,CMOS上的幾個(gè)公式非常重要。07年模電部分的一道大題,差分放大,恒流源的電流沒有直接給出來,而是用CMOS上的電流公式求解。解出來電流,整個(gè)題就非常簡(jiǎn)單了。題目很簡(jiǎn)單,但是沒看過CMOS,電流不會(huì)求,這個(gè)題得不到分了。CMOS的內(nèi)容還是有點(diǎn)多,我有復(fù)旦老師總結(jié)的10多頁資料,記下來就好了。ASIC和數(shù)字電路設(shè)計(jì)就只有碰碰運(yùn)氣了,聽聽工大自己開的課。05年考的判斷電路故障的一維通路敏化法,工大老師就講過。 總體來說,大家先樹立考復(fù)旦的信心!付出總有回報(bào),堅(jiān)持到底,希望明年能見到工大的學(xué)弟學(xué)妹^_^ 心得之二: 總體感覺復(fù)旦的微電子不論初試還是復(fù)試還是挺公平的,我認(rèn)識(shí)一個(gè)那邊的研究生,他本科就在復(fù)旦讀,他說他們考研之前專業(yè)課的老師是不會(huì)劃題目劃范圍的,所以他們?cè)趯I(yè)課上的優(yōu)勢(shì)不會(huì)有其它一些學(xué)校那么強(qiáng),當(dāng)然由于他們有本科筆記以及期末考試這些原因,絕對(duì)的公平是做不到的。 下面就具體說一下吧。 公共課就不多說了,主要講下專業(yè)課。復(fù)旦微電子專業(yè)分設(shè)計(jì)方向和工藝方向,今年設(shè)計(jì)方向復(fù)試線是343,工藝方向是353,雖然設(shè)計(jì)的線比工藝線低了10分,但設(shè)計(jì)絕對(duì)是比工藝難考得多的,工藝初試時(shí)考半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件,而設(shè)計(jì)則要考模電,數(shù)電,模擬集成電路,數(shù)字集成電路,專用集成電路。其中后面三門課是校外考生最擔(dān)心的。 大家要考設(shè)計(jì)的話就要好好衡量后再作決定。 模電在今年八月分以前指定參考書是童詩白的模電,八月分后是童詩白或者陳光夢(mèng)的模電,陳光夢(mèng)的模電是復(fù)旦自己出的,比起童詩白的那本要薄許多,假如大家覺星童詩白的那本太厚了可以看另外一本,我看過一下內(nèi)容,考試范圍應(yīng)該沒超出其講的內(nèi)容?偟膩碚f,大家要是大二時(shí)好好學(xué)過模電的話是不用太擔(dān)心的,模電每年考試的內(nèi)容大概是概念題,計(jì)算題(通常是多級(jí)放大電路的計(jì)算),然后是含有運(yùn)放的電 路分析,有時(shí)也會(huì)出差分電路。當(dāng)然這只是大概來講,大家復(fù)習(xí)時(shí)要把考試大綱上列的內(nèi)容都復(fù)習(xí)到。 數(shù)電是大家要注意的,指定參考書是陳光夢(mèng)編的《數(shù)字邏輯基礎(chǔ)》,即使你大二時(shí)數(shù)電學(xué)得相當(dāng)好也要當(dāng)心,因?yàn)樗嫉谋任覀儗W(xué)的前進(jìn)許多。例如今年的數(shù)字電路部分有這樣一些題目: 設(shè)計(jì)一個(gè)三人表決電路,兩人以上同意即通過. 給出一個(gè)邏輯函數(shù) 分別用4選一 八選一 與非門實(shí)現(xiàn) 用全加器實(shí)現(xiàn)四位數(shù)的加減法運(yùn)算 選用D觸發(fā)器組成可以自啟動(dòng)的扭不形6進(jìn)制計(jì)數(shù)器.再用扭環(huán)形計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)100100序列 檢測(cè)101的序列檢測(cè)器。 大家可以看出第一,二題大部分學(xué)過數(shù)字電路的同學(xué)都可以很快做出,但后面的要是不經(jīng)過復(fù)習(xí)是很難做出來的。 所以大家要聽LZ的話,課后習(xí)題要好好做。最好做一下前幾年的復(fù)旦電子線路的題目,那時(shí)的數(shù)電更加難呵。 模擬集成電路用的是UCLA教授拉扎維的《模擬CMOS集成電路》,這本書是模擬集成電路教材中的經(jīng)典。注重培養(yǎng)讀者設(shè)計(jì)電路時(shí)的直覺,因此其對(duì)一些問題的論述好是奇妙。再加上西安交大的中譯版譯得很不錯(cuò),因此他是初學(xué)者必看的一本書。不過對(duì)于考研如我輩者,要把他啃下來甚是費(fèi)勁,從05年開始加入了這一內(nèi)容,05考的是gain boost中的一道例題,06考的是二極管連接作為負(fù)載的共源級(jí),負(fù)載器件旁邊并聯(lián)了一個(gè)電流源,這也是書上的一道例題,可今年考的源跟隨器加電流鏡似乎在書上找不到對(duì)應(yīng)例題,而且這題里有許多小題,最后一小題還考到了頻率特性那一章中求-3db點(diǎn)的內(nèi)容,所以要拿高分實(shí)在不容易呵! 數(shù)字集成電路指定參考書是UC.Berkeley教授Jan M.Rabaey寫的《數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)透視》,這是數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的一本經(jīng)典教材,現(xiàn)在已出了第二版,復(fù)旦指定的是第一版,而且是英文版,由于現(xiàn)在第一版已經(jīng)不好找了,而且第一版沒有中譯版,所以大家可以可以看第二版,電子工業(yè)出版社出了它的中譯版。我看了一下,第二版中與我們相關(guān)的改動(dòng)主要是器件模型方面,他在一些推導(dǎo)中考慮了短溝道下的速度飽和效應(yīng),因此管子在飽和時(shí)溝道電流不遵循平方律,而改以另外一個(gè)公式。所以推導(dǎo)有時(shí)看起來會(huì)覺得挺復(fù)雜的。還有的是第二版把ECL,TTL的一些內(nèi)容刪除,只討論MOS。但實(shí)際上05年以來,數(shù)字集成電路部分沒考過計(jì)算題,所以用不到公式,要是以后用的話,大家用平方律的公式就好啦。其它的由推導(dǎo)得出的一些結(jié)論兩版基本一致。 這一部分05年考的是CMOS的latch up效應(yīng),06考的是傳輸管邏輯的內(nèi)容,今年考的是CMOS邏輯,其中還考到了版圖,不是微電,電科出身的同學(xué)要注意呵。 專用集成電路部分出題的確沒什么規(guī)律,不過似乎每年都得考一點(diǎn)測(cè)試方面的內(nèi)容,如05考了一維敏化法求測(cè)試向量,DFT的概念,06考了故障覆蓋率的概念,今年考了s-a-0的概念以及提高故障覆蓋率的意義。除此之外也考過硬件描述語言(06)ASIC的分類及特點(diǎn)。這部分現(xiàn)在的指定參考書是復(fù)旦自編的專用集成電路講義。電科,微電同學(xué)要做的是大四上你們開的VHDL,和CAD兩門課不要逃。 總體來說復(fù)旦專業(yè)課考的東西很多,要求有一定的專業(yè)背景,本專業(yè)的同學(xué)最好不要逃專業(yè)課,像集成電路基礎(chǔ)這一大四上開的課還是要上的,電科的同學(xué)還要做課程設(shè)計(jì),其中就有做版圖的內(nèi)容,幸好這次課程設(shè)計(jì)認(rèn)真做了,所以數(shù)字IC的那題答得還可以。還有學(xué)習(xí)模擬集成電路對(duì)半導(dǎo)器件的知識(shí)還有要求的,所以這學(xué)期電科和微電同學(xué)的半導(dǎo)體器件課也要上,特別是MOS部分。 最后說說復(fù)試,情形大概也就像LZ所說的,不會(huì)單獨(dú)考聽力,口語是念一篇英文科技文章,然后summary,總結(jié)出來的大概就不會(huì)要你用英語閑扯了。接著的專業(yè)問答每個(gè)人不一樣,問我的主要內(nèi)容是數(shù)字IC和CAD方面的內(nèi)容,如CMOS比起NMOS組成反相器有什么優(yōu)點(diǎn),前仿真和后仿真的區(qū)別,LVS,ATPG的概念等。還問了我一下本科階段做過的事,課程設(shè)計(jì),畢業(yè)設(shè)計(jì)。所以復(fù)旦的確很重視學(xué)生的專業(yè)背景。 心得大概也就上面這些,回想起這一年來的事,自己覺得結(jié)果是來之不易,因?yàn)樯眢w在這一年來一直不太舒服,生活中還受到許多雜七雜八的事的纏繞,所以心里的壓力一直都挺大的,有時(shí)覺得是任何希望都沒有了,但就是一堅(jiān)持下來,黎明前另人膣息的黑暗始終會(huì)過去的,清爽的早晨終究會(huì)到來。大家加油呵。。。。。▃z) |
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