武漢理工大學(xué)

姓 名

涂溶

性 別

男

民 族

漢

出生年月

 1972.04       

職  稱(chēng)

教授

職 務(wù)

      

聯(lián)系電話

單位名稱(chēng)

新材所

Email

turong@whut.edu.cn

實(shí)驗(yàn)室網(wǎng)址

http://fct.group.whut.edu.cn/cn/index.html

研究方向

l 功能薄膜與涂層

l 化學(xué)氣相沉積

l 物理氣相沉積

l 無(wú)機(jī)非金屬材料

教育背景

l 2000/4-2003/3，（日本）東北大學(xué)，工學(xué)研究科材料加工學(xué)，博士（工學(xué)）

l 1998/4-2000/3，（日本）東北大學(xué)，工學(xué)研究科材料物性學(xué)，工學(xué)碩士

l 1989/9-1993/6，武漢工業(yè)大學(xué)，材料科學(xué)，本科，工學(xué)學(xué)士

工作經(jīng)歷

l 2012/9-至今，武漢理工大學(xué)，材料復(fù)合新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，教授

l 2010/3-2012/8，（日本）東北大學(xué)，金屬材料研究所，準(zhǔn)教授

l 2004/11-2010/3，（日本）東北大學(xué)，金屬材料研究所，助教

l 2003/4-2004/10，（日本）東北大學(xué)，金屬材料研究所，非常勤講師

l 1996/10-1998/3，（日本）東北大學(xué)，金屬材料研究所，外國(guó)人研究者

l 1993/7-1996/9，武漢工業(yè)大學(xué)，材料復(fù)合新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，助手

項(xiàng)目情況

l 國(guó)家科技部國(guó)際合作專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目，大尺寸碳化硅的激光化學(xué)氣相沉積技術(shù)及應(yīng)用合作研發(fā)，2014/12-2017/11。

l 國(guó)際企業(yè)委托項(xiàng)目，鹵化物化學(xué)氣相沉積法制備Ti-Si-C復(fù)合材料厚膜成型技術(shù)，2015/01-2015/12。

l 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，雙激光化學(xué)氣相沉積法制備刀具超硬涂層，2019.1-2022.12

l 國(guó)際合作項(xiàng)目，SiCN涂層的生物和血液相容性，2019.1-2021.12

 

 

代表性學(xué)術(shù)
成果

1 Q. Sun, P. Zhu, Q. Xu, R. Tu, S. Zhang, J. Shi, H. Li, L. Zhang, et al., “High-speed heteroepitaxial growth of 3C-SiC (111) thick films on Si (110) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [1] 1048–1057 (2018).

2 Q. Xu, P. Zhu, Q. Sun, R. Tu, S. Zhang, M. Yang, Q. Li, J. Shi, et al., “Fast preparation of (111)-oriented β-SiC films without carbon formation by laser chemical vapor deposition from hexamethyldisilane without H2,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [2] 1471–1478 (2018).

3 P. Zhu, M. Yang, Q. Xu, Q. Sun, R. Tu, J. Li, S. Zhang, Q. Li, et al., “Epitaxial growth of 3C-SiC on Si(111) and (001) by laser CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [9] 3850–3856 (2018).

4 P. Zhu, Q. Xu, R. Chen, S. Zhang, M. Yang, R. Tu, L. Zhang, T. Goto, et al., “Structural study of β-SiC(001) films on Si(001) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 100 [4] 1634–1641 (2017).

5 R. Tu, D. Zheng, Q. Sun, M. Han, S. Zhang, Z. Hu, T. Goto, and L. Zhang, “Ultra-Fast Fabrication of <110>-Oriented β-SiC Wafers by Halide CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 99 [1] 84–88 (2016).

6.    Tu, Rong，Li, Nian，Li, Qizhong，Zhang, Song，Zhang, Lianmeng，Goto, TakashiMicrostructure and mechanical properties of B4C-HfB2-SiC ternary eutectic composites prepared by arc melting，Journal of the European Ceramic Society，2016，36(4)：959-966。

7.    Tu, Rong，Li, Nian，Li, Qizhong，Zhang, Song，Zhang, Lianmeng，Goto, TakashiEffect of microstructure on mechanical, electrical and thermal properties of B4C-HfB2 composites prepared by arc melting，Journal of the European Ceramic Society，2016，36(16)：3929-3937。

8  R. Tu, Q. Sun, S. Zhang, M. Han, Q. Li, H. Hirayama, L. Zhang, and T. Goto, “Oxidation Behavior of ZrB2-SiC Composites at Low Pressures,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 214–222 (2015).

9  S. Zhang, Q. Xu, R. Tu, T. Goto, and L. Zhang, “Growth Mechanism and Defects of <111>-Oriented β-SiC Films Deposited by Laser Chemical Vapor Deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 236–241 (2015).

10  S. Zhang, Q. Xu, Q. Sun, P. Zhu, R. Tu, Z. Hu, M. Han, T. Goto, et al., “Effect of Pressure on Microstructure of <111>-Oriented β-SiC Films: Research Via Electron Backscatter Diffraction,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [12] 3713–3718 (2015).