從西安交通大學(xué)研究生招生信息網(wǎng)獲悉，2021年西安交通大學(xué)碩士研究生招生考試809電子技術(shù)基礎(chǔ)（含模擬和數(shù)字）參考書目及考試大綱公布，內(nèi)容如下：

2021年電子技術(shù)基礎(chǔ)考試大綱

考試內(nèi)容：模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)

考試形式和試卷結(jié)構(gòu)

一、試卷滿分及考試時(shí)間

試卷滿分為150分，考試時(shí)間為180分鐘．

二、試卷內(nèi)容結(jié)構(gòu)

模擬電子技術(shù)                   50%

數(shù)字電子技術(shù)                   50%

三、試卷題型結(jié)構(gòu)

模擬電子技術(shù) 75分

讀圖、分析并簡要回答       約6小題，每小題5分，共30分

分析、計(jì)算、畫圖題          約3大題，共45分

數(shù)字電子技術(shù) 75分

填空、選擇或判斷題     約15小題，每小題2分，共30分

簡答題、電路設(shè)計(jì)和分析題 約4大題，共45分

 

模擬電子技術(shù)

考試內(nèi)容

PN結(jié)及其單向?qū)щ娦�。普通半�?dǎo)體二極管和硅穩(wěn)壓管的結(jié)構(gòu)、工作原理、外特性、主要參數(shù)，二極管在整流、檢波和限幅電路中的應(yīng)用。

晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、外特性、主要參數(shù)。共射放大電路的組成、工作原理。放大電路的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)分析。靜態(tài)工作點(diǎn)的選擇與穩(wěn)定。共集和共基放大電路的工作原理及其分析。多級(jí)放大電路的組成及性能分析。放大電路頻率特性（頻響和失真、晶體管高頻特性、單管放大電路頻響）。

場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、外特性、主要參數(shù)。場效應(yīng)晶體管的共源、共漏和共柵極放大電路分析。

集成電路中元器件的特點(diǎn)及集成運(yùn)放的典型結(jié)構(gòu)。集成運(yùn)放中的基本單元電路（差分放大、電流源、復(fù)合管、互補(bǔ)推挽放大電路）的工作原理及其分析方法。通用集成運(yùn)放簡化電路工作原理。集成運(yùn)放的主要參數(shù)及低頻等效電路。

反饋的基本概念及反饋類型判別，負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響，負(fù)反饋放大電路的分析及近似計(jì)算，負(fù)反饋放大電路中的自激振蕩及消除。

加、減、積分、微分、對(duì)數(shù)、反對(duì)數(shù)運(yùn)算電路的工作原理及性能分析。模擬乘法器原理及其基本應(yīng)用。

電子系統(tǒng)的基本組成。信號(hào)檢測系統(tǒng)中的放大電路（測量放大器、隔離放大器）。有源濾波器（基本概念，一階、二階低通、高通電路的實(shí)現(xiàn)），電壓比較器（單門限、多門限比較器、集成比較器）。

正弦波信號(hào)發(fā)生器的概述（振蕩條件、選頻、振蕩的建立與穩(wěn)定）。 RC 、 LC 、石英晶體振蕩器的組成及工作原理分析。非正弦波發(fā)生器（方波、三角波、鋸齒波、壓控振蕩器）的組成及工作原理分析。

功率放大電路的特點(diǎn)及分類�；パa(bǔ)推挽功率放大電路（乙類、甲乙類、單電源、前置級(jí)為運(yùn)放的功率放大電路）的工作原理及其性能分析。

整流、濾波和線性穩(wěn)壓電路的工作原理。三端線性集成穩(wěn)壓器的工作原理及使用方法。低差壓線性集成穩(wěn)壓器、高精度基準(zhǔn)源、開關(guān)型穩(wěn)壓電路基本原理。

考試要求

1．了解摻雜半導(dǎo)體的基本概念。理解PN結(jié)的形成過程。掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娦栽�理，二極管的伏安特性及主要參數(shù)，二極管整流、限幅和檢波電路應(yīng)用，硅穩(wěn)壓管的伏安特性及主要參數(shù)。

2．理解晶體管的電流分配與放大作用，放大電路的組成原則及工作原理，放大電路的圖解分析方法。掌握晶體管的工作狀態(tài)、伏安特性及主要參數(shù)，晶體管放大電路的主要技術(shù)指標(biāo)，晶體管放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)估算法、微變等效電路法，晶體管的三種基本放大電路及多級(jí)放大電路的分析計(jì)算方法，放大電路的頻率響應(yīng)分析計(jì)算方法。

3．了解場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)與類型。理解場效應(yīng)管的工作原理。掌握?qǐng)鲂��?yīng)管的伏安特性及主要參數(shù)，場效應(yīng)管微變等效電路，場效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)分析方法和動(dòng)態(tài)分析方法，場效應(yīng)管的三種基本放大電路。

4．了解集成電路中元器件的特點(diǎn)及集成運(yùn)算放大器的典型結(jié)構(gòu)，電流源有源負(fù)載的基本原理，通用集成運(yùn)放的電路及工作原理。理解復(fù)合管電路的結(jié)構(gòu)及特性。掌握差分放大電路的分析計(jì)算方法，集成運(yùn)放的主要參數(shù)及簡化低頻等效電路。

5．理解反饋的基本概念，負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響，負(fù)反饋放大電路的自激振蕩條件。掌握負(fù)反饋放大電路的基本類型、判斷方法、分析及近似計(jì)算方法。

6．理解模擬乘法器的工作原理。掌握集成運(yùn)放組成的運(yùn)算電路的分析方法，各種基本運(yùn)算電路的結(jié)構(gòu)及工作原理，模擬乘法器的基本應(yīng)用電路及分析方法。

7．了解信號(hào)檢測系統(tǒng)的基本組成。理解隔離放大器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理。掌握測量放大器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理，濾波器的基本知識(shí)，低通、高通有源濾波器的特性和分析方法，電壓比較器的特性和分析方法。

8．了解石英晶體振蕩器的基本原理。掌握正弦波自激振蕩的基本原理，RC型正弦波信號(hào)發(fā)生器、 LC型正弦波信號(hào)發(fā)生器的分析計(jì)算方法，方波、三角波、鋸齒波發(fā)生器的分析計(jì)算方法。

9．了解功率放大電路的特點(diǎn)和分類。理解單電源功率放大電路的工作原理。掌握乙類互補(bǔ)推挽功率放大電路的工作原理及主要性能指標(biāo)計(jì)算，甲乙類互補(bǔ)推挽功率放大電路的工作原理，前置級(jí)為運(yùn)放的功率放大電路的主要性能指標(biāo)計(jì)算。

10．了解直流穩(wěn)壓源的組成，倍壓整流電路的基本原理，開關(guān)型穩(wěn)壓電路的基本原理。掌握單相橋式整流電路的工作原理及主要性能指標(biāo)，濾波電路的工作原理及其主要參數(shù)，串聯(lián)型線性穩(wěn)壓電路的組成及工作原理，集成三端穩(wěn)壓器的分析計(jì)算方法。

“模擬電子技術(shù)”參考文獻(xiàn)

楊拴科，趙進(jìn)全. 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第2版）, 高等教育出版社，2010,11. （普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材）

楊拴科，趙進(jìn)全. 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第2版）學(xué)習(xí)指導(dǎo)與解題指南, 高等教育出版社，2012,09. （普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材配套參考書）

 

 

數(shù)字電子技術(shù)

一、數(shù)字邏輯基礎(chǔ)、集成邏輯門電路、鎖存器和觸發(fā)器

考試內(nèi)容

    數(shù)制和碼制、基本邏輯運(yùn)算、基本定理及常用公式、邏輯函數(shù)及其表示方法、邏輯函數(shù)的卡諾圖、邏輯函數(shù)的化簡方法。

數(shù)制和碼制、基本邏輯運(yùn)算、基本定理及常用公式、邏輯函數(shù)及其表示方法、邏輯函數(shù)的卡諾圖、邏輯函數(shù)的化簡方法。

CMOS集成門電路、TTL集成邏輯門、集成門電路的外特性及參數(shù)、OC門和三態(tài)邏輯門電路、邏輯門電路使用中的幾個(gè)實(shí)際問題。

考試要求

1．理解數(shù)制和碼制的概念，掌握幾種常用數(shù)制及轉(zhuǎn)換方法，掌握補(bǔ)碼概念，掌握8421BCD、ASCII碼，了解余3碼、格雷碼、奇偶校驗(yàn)碼等。

2．掌握邏輯運(yùn)算基本定理及常用公式，掌握邏輯函數(shù)的幾種表達(dá)方式及相互轉(zhuǎn)換方法。掌握邏輯函數(shù)的兩種化簡方法。熟練掌握基本邏輯運(yùn)算、同或、異或和與或非的方框型和特殊形狀邏輯符號(hào)。

3．了解集成TTL與非門內(nèi)部電路工作原理，理解集成門電路的外特性，即傳輸特性、輸入特性、輸出特性以及輸入端負(fù)載特性。掌握噪聲容限和扇出數(shù)的計(jì)算。理解CMOS邏輯門的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，了解TTL和CMOS門的區(qū)別，掌握集電極開路（包括漏極開路門）和三態(tài)門點(diǎn)各自特點(diǎn)及應(yīng)用。

二、可編程邏輯器件（PLD）

考試內(nèi)容

PLD發(fā)展和分類、低密度PLD的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用。CPLD和FPGA的各自結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和區(qū)別，不要求掌握高密度PLD的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

考試要求

1．了解PLD的發(fā)展、分類和應(yīng)用。掌握幾種低密度PLD的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用。

2．理解PLD的編程方法。掌握CPLD和FPGA特點(diǎn)和區(qū)別。

三、組合和時(shí)序邏輯電路的分析和設(shè)計(jì)

考試內(nèi)容

組合邏輯電路的基本概念和器件符號(hào)、門級(jí)組合邏輯電路的分析和設(shè)計(jì)、編碼器和譯碼器、多路選擇器、加法器和比較器、基于MSI（中規(guī)模器件）組合邏輯電路的分析和設(shè)計(jì)。

時(shí)序邏輯電路的結(jié)構(gòu)、分類和描述方式、基于觸發(fā)器的時(shí)序電路的分析和設(shè)計(jì)、集成計(jì)數(shù)器、寄存器和移位寄存器、基于MSI時(shí)序邏輯電路的分析和設(shè)計(jì)。

考試要求

1．理解組合邏輯電路和時(shí)序電路的定義。掌握時(shí)序邏輯電路的結(jié)構(gòu)、分類和描述方式。

2．掌握基于門和觸發(fā)器的電路設(shè)計(jì)和分析方法。

3．熟悉MSI符號(hào)和功能表（不需要記憶，給出符號(hào)和功能表能理解并使用），掌握教材中幾種常用中規(guī)模器件的特點(diǎn)和應(yīng)用。

4．掌握基于MSI的組合和時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)和分析方法。

四、 脈沖產(chǎn)生與整形電路

考試內(nèi)容

施密特觸發(fā)器及應(yīng)用、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器及應(yīng)用、石英晶體多諧振蕩器及應(yīng)用、555定時(shí)器及其應(yīng)用。

考試要求

1．理解施密特觸發(fā)器、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和多諧振蕩器的概念。

2．掌握集成施密特觸發(fā)器的符號(hào)，會(huì)看集成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和555定時(shí)器的功能表和符號(hào)。

3．掌握集成施密特觸發(fā)器、集成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和555定時(shí)器應(yīng)用（分析和設(shè)計(jì)）。

五、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

考試內(nèi)容

存儲(chǔ)器基本概念（分類和性能指標(biāo)）、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器、集成存儲(chǔ)器芯片及擴(kuò)展和應(yīng)用。

考試要求

1．了解存儲(chǔ)器分類和性能指標(biāo)。通過存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)理解隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和只讀存儲(chǔ)器特點(diǎn)。

2．了解RAM、EPROM、EEPROM等幾種集成存儲(chǔ)器的型號(hào)、符號(hào)等。

3．掌握集成存儲(chǔ)器的引腳信息、容量、擴(kuò)展方法和應(yīng)用等。

六、數(shù)/模和模/數(shù)轉(zhuǎn)換

考試內(nèi)容

D/A轉(zhuǎn)換器原理和特性參數(shù)、集成DAC應(yīng)用、采樣保持器、A/D轉(zhuǎn)換器原理和特性參數(shù)、集成ADC器件。

考試要求

1．了解ADC和DAC的原理、作用、主要參數(shù)和誤差。理解采樣保持器的原理和作用。

2．掌握并行比較型、逐次漸近型和雙積分型ADC的優(yōu)缺點(diǎn)。

3．掌握集成DAC的應(yīng)用。

“數(shù)字電子技術(shù)”參考文獻(xiàn)

（教材選擇下面前兩本之一即可）

張克農(nóng),寧改娣,趙進(jìn)全,金印彬. 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ). 第2版. 高等教育出版社. 2010.7（普通高等教育“十二五”國家級(jí)規(guī)劃教材）

寧改娣,金印彬,張虹. 數(shù)字電子技術(shù)與微處理器基礎(chǔ)（上冊(cè)）——現(xiàn)代數(shù)字電子技術(shù). 西安電子科技大學(xué)出版社. 2015.2

寧改娣,劉濤,金印彬,趙進(jìn)全編.數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)（第2版）學(xué)習(xí)指導(dǎo)與解題指南. 高等教育出版社. 2013.9