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分類:參考書目 來(lái)源:西安交通大學(xué)研究生招生信息網(wǎng) 2021-02-04 相關(guān)院校:西安交通大學(xué)
從西安交通大學(xué)研究生招生信息網(wǎng)獲悉,2021年全國(guó)碩士研究生招生考試西安交通大學(xué)849半導(dǎo)體物理與器件參考書目及考試大綱公布,內(nèi)容如下:
2021年半導(dǎo)體物理與器件(849)考試大綱
考試科目:半導(dǎo)體物理
考試形式和試卷結(jié)構(gòu)
一、試卷滿分及考試時(shí)間
試卷滿分為150分,考試時(shí)間為180分鐘.
二、試卷內(nèi)容結(jié)構(gòu)
半導(dǎo)體物理 約75%
半導(dǎo)體器件約25%
三、試卷題型結(jié)構(gòu)
簡(jiǎn)答題 10道題 共100分
解答題(包括畫圖、計(jì)算等) 5道題,共50分
考試范圍
1.半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
2.半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)
3.半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
4.半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
5.非平衡載流子
6.PN結(jié)
7.金屬和半導(dǎo)體接觸
8.半導(dǎo)體表面和MIS結(jié)構(gòu)
9.異質(zhì)結(jié)的基礎(chǔ)概念
10.半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)
11.霍耳效應(yīng)
參考書目:
《半導(dǎo)體物理學(xué) (第七版)》劉恩科、朱秉升、羅晉生編著,電子工業(yè)出版社,2011年3月1日出版,ISBN:9787121129902
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