長(zhǎng)春理工大學(xué)理學(xué)院2015考研復(fù)試大綱：集成電路工藝原理

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• 2025考研復(fù)試標(biāo)準(zhǔn)班
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一、適用專業(yè)：

集成電路工程

二、參考書(shū)目：

1.關(guān)旭東.硅集成電路工藝基礎(chǔ).第一版.北京：北京大學(xué)出版社（2003.10）

三、考試內(nèi)容與基本要求：

第一章

內(nèi)容：硅的晶體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體材料制備方法。

要求：掌握基本概念及半導(dǎo)體材料制備工藝流程。

第二章

內(nèi)容：晶體管工藝結(jié)構(gòu)、集成電路工藝結(jié)構(gòu)、集成電路平面工藝流程。

要求：掌握器件結(jié)構(gòu)圖及主要工藝過(guò)程。

第三章

內(nèi)容：SiO2的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)及氧化工藝原理。

要求：掌握基本概念及工藝流程，氧化層厚度計(jì)算。

第四章

內(nèi)容：擴(kuò)散系數(shù)與擴(kuò)散方程、擴(kuò)散工藝與設(shè)備。

要求：掌握基本概念及工藝流程，擴(kuò)散結(jié)深的計(jì)算。

第五章

內(nèi)容：硅氣相外延的基本原理、雜質(zhì)分布、外延工藝過(guò)程及設(shè)備。

要求：掌握基本概念及工藝流程。

第六章

內(nèi)容：離子注入工藝原理。

要求：掌握基本工藝流程、注入結(jié)深與雜質(zhì)分布等的計(jì)算。

第七章

內(nèi)容：光刻工藝流程、光刻膠屬性及曝光技術(shù)。

要求：掌握基本工藝流程及主要曝光技術(shù)。

第八章

內(nèi)容：光刻掩模版制備工藝原理及掩模版制備工藝過(guò)程。

要求：掌握工藝原理及工作流程。