ResponseofSemiconductorNanostructurestoaTerahertzElectricField-半導體納米..
- 所屬分類：
電子通信培..
- 作者：
- 出版社：
- ISBN：750246161
- 出版日期：
-
原價：
￥36.00元
現(xiàn)價：￥0.00元
圖書簡介
品牌：冶金工業(yè)詳情基本信息
書名:ResponseofSemiconductorNanostructurestoaTerahertzElectricField-半導體納米材料在太赫茲電場中的特性-(英文版)
原價：36元
售價：28.8元,便宜7.2元,折扣80
作者:沈韜
出版社：冶金工業(yè)
出版日期：2014-03-01
ISBN：9787502461614
字數(shù)：
頁碼：117
版次：1
裝幀：
開本：16開
商品重量：0.4kg
編輯推薦
本書系統(tǒng)詳盡地介紹了半導體基礎納米結構在太赫茲電場中的響應特性、空間載流子受激運動機理、精確解析及快速分析的方法。涵蓋了半導體基礎理論，載流子輸運方程分析、有限元數(shù)值方法解析、等效電路分析方法等內(nèi)容。《半導體納米材料在太赫茲電場中的特性(英文版)》由沈韜編著。
內(nèi)容提要
暫時沒有內(nèi)容
目錄
1 Introduction
References
2 Theoretical Framework
2.1 Electromagic Field Theory
2.2 Brief Review on Related Semiconductor Physics
2.2.1 Energy band theory
2.2.2 Carrier concentration at thermal equilibrium
2.3 Charge Transport in Semiconductor
References
3 Semiconductor Nanostructure in the Static Electric Field
3.1 Semiconductor Nanoplate in the Static Field
3.2 Semiconductor Nanoparticle in the Static Field
4 Response of Elementary Semiconductor Nanostructures inQuasi-Static Electric Field
4.1 Carrier Dynamics
4.2 Semiconductor Nanoplate in the Quasi-Static Field
4.3 Semiconductor Nanoparticle in the Quasi-Static Field
References
5 Full Wave Analysis
5.1 Full Wave Analysis of a Semiconductor Nanoparticle
5.2 Response of Semiconductor Nanoparticle with High Doping Levelin Dynamic Field
6 Equivalent Circuit Representation for ConductiveNanostructure
6.1 Basic Concepts of Equivalent Circuit
6.2 Equivalent Circuit Representation for the SemiconductorNanoplate
6.3 Equivalent Circuit Representation for the SemiconductorNanoparticle
6.4 Equivalent Circuit Representation for the MetalNanoparticle
References
7 Conclusion
7.1 Summary
7.2 Suggestions for Future Work
Appendix A
Appendix B
作者介紹
暫時沒有內(nèi)容
文摘
暫時沒有內(nèi)容
序言
暫時沒有內(nèi)容
目錄
基本信息
書名:ResponseofSemiconductorNanostructurestoaTerahertzElectricField-半導體納米材料在太赫茲電場中的特性-(英文版)
原價：36元
售價：28.8元,便宜7.2元,折扣80
作者:沈韜
出版社：冶金工業(yè)
出版日期：2014-03-01
ISBN：9787502461614
字數(shù)：
頁碼：117
版次：1
裝幀：
開本：16開
商品重量：0.4kg
編輯推薦
本書系統(tǒng)詳盡地介紹了半導體基礎納米結構在太赫茲電場中的響應特性、空間載流子受激運動機理、精確解析及快速分析的方法。涵蓋了半導體基礎理論，載流子輸運方程分析、有限元數(shù)值方法解析、等效電路分析方法等內(nèi)容。《半導體納米材料在太赫茲電場中的特性(英文版)》由沈韜編著。
內(nèi)容提要
暫時沒有內(nèi)容
目錄
1 Introduction
References
2 Theoretical Framework
2.1 Electromagic Field Theory
2.2 Brief Review on Related Semiconductor Physics
2.2.1 Energy band theory
2.2.2 Carrier concentration at thermal equilibrium
2.3 Charge Transport in Semiconductor
References
3 Semiconductor Nanostructure in the Static Electric Field
3.1 Semiconductor Nanoplate in the Static Field
3.2 Semiconductor Nanoparticle in the Static Field
4 Response of Elementary Semiconductor Nanostructures inQuasi-Static Electric Field
4.1 Carrier Dynamics
4.2 Semiconductor Nanoplate in the Quasi-Static Field
4.3 Semiconductor Nanoparticle in the Quasi-Static Field
References
5 Full Wave Analysis
5.1 Full Wave Analysis of a Semiconductor Nanoparticle
5.2 Response of Semiconductor Nanoparticle with High Doping Levelin Dynamic Field
6 Equivalent Circuit Representation for ConductiveNanostructure
6.1 Basic Concepts of Equivalent Circuit
6.2 Equivalent Circuit Representation for the SemiconductorNanoplate
6.3 Equivalent Circuit Representation for the SemiconductorNanoparticle
6.4 Equivalent Circuit Representation for the MetalNanoparticle
References
7 Conclusion
7.1 Summary
7.2 Suggestions for Future Work
Appendix A
Appendix B
作者介紹
暫時沒有內(nèi)容
文摘
暫時沒有內(nèi)容
序言
暫時沒有內(nèi)容
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