考研網(wǎng) » 考試圖書 » 電子通信培訓(xùn)教材 » 射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)管的建模與特征 （加）奧恩（Aaen,P）　等著.. » 全部考試圖書分類

圖書簡介

品牌：圖書

詳情

商品基本信息，請(qǐng)以下列介紹為準(zhǔn)
商品名稱：	射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)管的建模與特征
作者：	（加）奧恩（Aaen,P）　等著；鮑景富　等譯
市場(chǎng)價(jià)：	35元
文軒網(wǎng)價(jià)：	28元【80折】
ISBN號(hào)：	9787121078552
出版社：	電子工業(yè)出版社
商品類型：	圖書

其他參考信息（以實(shí)物為準(zhǔn)）
裝幀：平裝	開本：16開	語種：
出版時(shí)間：2008-12-01	版次：	頁數(shù)：
印刷時(shí)間：2008-12-01	印次：	字?jǐn)?shù)：390000
溫馨提示：出版時(shí)間超過3年的圖書，因長時(shí)間儲(chǔ)存可能會(huì)產(chǎn)生紙張缺陷，敬請(qǐng)諒解！

內(nèi)容簡介

本書首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場(chǎng)效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測(cè)量方法，著重討論對(duì)功率管的封裝法蘭、焊接裸線、引線等無源部分進(jìn)行建模和仿真，熱特征的測(cè)量仿真與建模；詳細(xì)分析了功率管有源部分的復(fù)合建模，包括小信號(hào)建模、大信號(hào)建模，電荷守恒定理，溫度變化條件下的模型建立；還從數(shù)學(xué)上分析了集約模型的函數(shù)近似逼近方法，從工程設(shè)計(jì)的角度出發(fā)闡述了模型在計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)工具包中的應(yīng)用，最后對(duì)設(shè)計(jì)的模型進(jìn)行了驗(yàn)證。     此書全面說明了FET建模，是一本從事RF和微波功率放大器設(shè)計(jì)及模型領(lǐng)域工作的專業(yè)技術(shù)人員、在學(xué)研究生所必備的參考書。

作者簡介

Peter H.Aaen，是建模組經(jīng)理，現(xiàn)在主要負(fù)責(zé)微波晶體管模型和無源元件的開發(fā)和驗(yàn)證。

目錄

第1章  射頻微波功率晶體管   1.1  引言   1.2  晶體管建模過程概述   1.3  高功率晶體管的商業(yè)應(yīng)用回顧   1.4  硅器件技術(shù)發(fā)展   1.5  復(fù)合半導(dǎo)體（Ⅲ-Ⅴ族）器件技術(shù)發(fā)展   1.6  FET基本工作原理   1.7  封裝   1.8  未來發(fā)展趨勢(shì)與方向   附錄A MESFET中fT的推導(dǎo)   參考文獻(xiàn) 第2章  高功率FET‘集約模型導(dǎo)論   2.1  引言   2.2  物理建模   2.3  集約模型   2.4  記憶效應(yīng)   2.5  結(jié)論   參考文獻(xiàn) 第3章  電氣測(cè)量技術(shù)   3.1  引言   3.2  電參考面   3.3  測(cè)量環(huán)境   3.4  模型提取的測(cè)量   3.5  驗(yàn)證過程的測(cè)量   參考文獻(xiàn) 第4章  無源器件：仿真和建模   4.1  引言   4.2  封裝   4.3  鍵合引線   4.4  MOS電容建模   4.5  分割技術(shù)應(yīng)用舉例   參考文獻(xiàn) 第5章  熱特性分析與建模   5.1  引言   5.2  熱傳遞的方式   5.3  熱量測(cè)量   5.4  熱仿真   5.5  集約模型   參考文獻(xiàn) 第6章  有源晶體管的建模   6.1  介紹   6.2  復(fù)合管與外部各種元件的建模   6.3  標(biāo)度考慮   6.4  本征晶體管的建模   6.5  在晶體管模型中的頻率離散效應(yīng)   6.6  包含統(tǒng)計(jì)變化的集約模型   6.7  結(jié)束語   參考文獻(xiàn) 第7章  集約模型的函數(shù)逼近   7.1  引言   7.2  函數(shù)及函數(shù)逼近的特性   7.3  函數(shù)逼近的實(shí)用方法   7.4  結(jié)論   參考文獻(xiàn) 第8章  模型在CAD工具中的應(yīng)用   8.1  引言   8.2  各類仿真器回顧   8.3  模型執(zhí)行過程概述   8.4  模型驗(yàn)證過程   8.5  模型執(zhí)行的類型   8.6  建立一個(gè)模型庫   8.7  模型可移植性及其未來發(fā)展趨勢(shì)   參考文獻(xiàn) 第9章  模型驗(yàn)證   9.1  引言   …… 縮略語

精彩內(nèi)容

第1章  射頻微波功率晶體管     1.1  引言     雖然無線通信標(biāo)準(zhǔn)會(huì)隨著最近數(shù)字編碼技術(shù)或新開發(fā)使用的電磁波波段的發(fā)展而改變，但各種通信系統(tǒng)的共同特征是，它們均要使用功率放大器。在過去的幾十年中，特別是在功率級(jí)小于1KW的范圍內(nèi)，從真空電子管或者放大器的其他形式到固態(tài)器件的轉(zhuǎn)變已經(jīng)基本完成了�，F(xiàn)在，功率放大器最核心的部分是功率晶體管。     在射頻無線通信領(lǐng)域，基站和長距離發(fā)射機(jī)幾乎全部使用硅LDMOs（橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管）高功率晶體管。除了在現(xiàn)代蜂窩通信系統(tǒng)中，LDMOs還廣泛應(yīng)用于需要射頻放大的領(lǐng)域——HF、VHF和UHF通信系統(tǒng)，脈沖雷達(dá)，工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療（ISM）應(yīng)用，航空電子和最近的WiMAXTM通信系統(tǒng)。這些應(yīng)用的頻率范圍為從幾MHz至4 GHz以上。     當(dāng)LDMOS技術(shù)在高功率射頻和微波低頻段應(yīng)用中占優(yōu)勢(shì)的時(shí)候，許多種化合物半導(dǎo)體（Ⅲ—Ⅴ簇）被用做有效的功率放大器件，特別使用在頻率高于5 GHz的應(yīng)用中，同時(shí)也使用在低功率應(yīng)用中，比如蜂窩手持機(jī)、藍(lán)牙技術(shù)和其他無線局域網(wǎng)絡(luò)（WLAN），這些應(yīng)用通常要求產(chǎn)生1W或者更小的功率。射頻微波中最常用的復(fù)合半導(dǎo)體材料是砷化鎵（GaAs），它在場(chǎng)效應(yīng)晶體管（比如金屬一半導(dǎo)體FET）、異質(zhì)結(jié)晶體 ......

目錄

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