南京大學理學院研究生導師介紹：鄭有炓

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鄭有炓，半導體材料與器件物理專家。1935年10月1日生于福建大田，1957年畢業(yè)于南京大學物理系，現(xiàn)任南京大學電子科學與工程學院教授，2003年當選為中國科學院院士。長期從事半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件物理研究，近年主要致力于寬禁帶半導體光電子材料與器件研究。

首次觀測到AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)二維電子氣舒勃尼科夫-德哈斯效應(yīng)（SdH）雙周期振蕩,揭示量子阱雙子帶占據(jù)和子能帶間電子散射及高溫下高階子帶電子輸運散射機制；揭示壓電極化和摻雜對二維電子氣濃度和空間分布的影響規(guī)律；創(chuàng)新發(fā)展了基于極化誘導的AlGaN/GaN增強型MIS場效應(yīng)器件、硅基AlGaN/GaN/AlGaNMSM紫外探測器和藍寶石基光導型紫外探測器；提出壓電調(diào)控的金屬/鐵電體/氮化物半導體的新型復(fù)合異質(zhì)結(jié)構(gòu)，開辟發(fā)展GaN-MFS器件新途徑；創(chuàng)新發(fā)展了鍺硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延和高選擇性GeSi/Si化學腐蝕技術(shù)；發(fā)現(xiàn)應(yīng)變鍺硅合金有序化新結(jié)構(gòu)，提出有序結(jié)構(gòu)新模型;創(chuàng)新發(fā)展了具有極高光電響應(yīng)度的能隙階梯緩變結(jié)構(gòu)鍺硅紅外探測器；提出基于鍺硅技術(shù)制備SiO2/Si量子限制的硅量子線及自限制氧化制備超精細硅量子線新方法；在II-VI/III-V族半導體復(fù)合結(jié)構(gòu)研究上，首次觀測到CdTe/InSb復(fù)合結(jié)構(gòu)界面存在高遷移率二維電子氣及二維電子氣占據(jù)子帶規(guī)律。研究成果獲得國家自然科學獎二等獎1項、國家技術(shù)發(fā)明獎三等獎1項、江蘇省科技進步獎一等獎1項、江蘇省人才培養(yǎng)教學成果一等獎1項、教育部自然科學一等獎和技術(shù)發(fā)明一等獎各一項。還先后獲得省部級科技進步獎8項以及國防科工委光華科技基金獎一等獎、國家863計劃先進工作者一等獎。