2019年天津理工大學809半導體物理考研初試大綱

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天津理工大學2019年碩士研究生入學考試大綱

一、考試科目：半導體物理 (809)

二、考試方式：考試采用筆試方式，考試時間為180分鐘，試卷滿分為150分。

三、試卷結構與分數比重：

填空及選擇題：20%;簡答題：20%;綜合題：60%。

四、考查的知識范圍:

1.半導體中的電子狀態(tài)(10%)：能帶論，半導體中的電子運動、有效質量，本征半導體的導電機制、空穴，鍺、硅、砷化鎵和鍺硅的能帶結構。

2.載流子的統計分布(15%)：狀態(tài)密度，費米能級和載流子的統計分布，本征半導體的載流子濃度，雜質半導體的載流子濃度。一般情況下的載流子的統計分布。

3.半導體的導電性(15%)：載流子的漂移運動，載流子的散射，遷移率與雜質濃度和溫度的關系，玻爾茲曼方程;強電場效應，熱載流子。

4.非平衡載流子(20%)：非平衡載流子的注人與復合，非平衡載流子的壽命，準費米能級，復合理論，陷阱效應，載流子的擴散運動、連續(xù)性方程。

5.PN結(15%)：PN結及其能帶圖，PN結電流電壓特件。

6.金屬和半導體的接觸(10%)：金屬和半導體接觸的整流理論，少數載流子的注人，歐姆接觸。

7. 半導體表面與MIS結構(15%)：表面電場效應，理想與非理想的MIS結構的C-V特性，Si-SiO2系統的性質，表面電導。

五、參考書目：

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