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從西安交通大學研究生招生信息網(wǎng)獲悉，2021年西安交通大學碩士研究生招生考試809電子技術(shù)基礎(chǔ)（含模擬和數(shù)字）參考書目及考試大綱公布，內(nèi)容如下：

2021年電子技術(shù)基礎(chǔ)考試大綱

考試內(nèi)容：模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)

考試形式和試卷結(jié)構(gòu)

一、試卷滿分及考試時間

試卷滿分為150分，考試時間為180分鐘．

二、試卷內(nèi)容結(jié)構(gòu)

模擬電子技術(shù)                   50%

數(shù)字電子技術(shù)                   50%

三、試卷題型結(jié)構(gòu)

模擬電子技術(shù) 75分

讀圖、分析并簡要回答       約6小題，每小題5分，共30分

分析、計算、畫圖題          約3大題，共45分

數(shù)字電子技術(shù) 75分

填空、選擇或判斷題     約15小題，每小題2分，共30分

簡答題、電路設計和分析題 約4大題，共45分

 

模擬電子技術(shù)

考試內(nèi)容

PN結(jié)及其單向?qū)щ娦�。普通半導體二極管和硅穩(wěn)壓管的結(jié)構(gòu)、工作原理、外特性、主要參數(shù)，二極管在整流、檢波和限幅電路中的應用。

晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、外特性、主要參數(shù)。共射放大電路的組成、工作原理。放大電路的靜態(tài)和動態(tài)分析。靜態(tài)工作點的選擇與穩(wěn)定。共集和共基放大電路的工作原理及其分析。多級放大電路的組成及性能分析。放大電路頻率特性（頻響和失真、晶體管高頻特性、單管放大電路頻響）。

場效應晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、外特性、主要參數(shù)。場效應晶體管的共源、共漏和共柵極放大電路分析。

集成電路中元器件的特點及集成運放的典型結(jié)構(gòu)。集成運放中的基本單元電路（差分放大、電流源、復合管、互補推挽放大電路）的工作原理及其分析方法。通用集成運放簡化電路工作原理。集成運放的主要參數(shù)及低頻等效電路。

反饋的基本概念及反饋類型判別，負反饋對放大電路性能的影響，負反饋放大電路的分析及近似計算，負反饋放大電路中的自激振蕩及消除。

加、減、積分、微分、對數(shù)、反對數(shù)運算電路的工作原理及性能分析。模擬乘法器原理及其基本應用。

電子系統(tǒng)的基本組成。信號檢測系統(tǒng)中的放大電路（測量放大器、隔離放大器）。有源濾波器（基本概念，一階、二階低通、高通電路的實現(xiàn)），電壓比較器（單門限、多門限比較器、集成比較器）。

正弦波信號發(fā)生器的概述（振蕩條件、選頻、振蕩的建立與穩(wěn)定）。 RC 、 LC 、石英晶體振蕩器的組成及工作原理分析。非正弦波發(fā)生器（方波、三角波、鋸齒波、壓控振蕩器）的組成及工作原理分析。

功率放大電路的特點及分類�；パa推挽功率放大電路（乙類、甲乙類、單電源、前置級為運放的功率放大電路）的工作原理及其性能分析。

整流、濾波和線性穩(wěn)壓電路的工作原理。三端線性集成穩(wěn)壓器的工作原理及使用方法。低差壓線性集成穩(wěn)壓器、高精度基準源、開關(guān)型穩(wěn)壓電路基本原理。

考試要求

1．了解摻雜半導體的基本概念。理解PN結(jié)的形成過程。掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娦栽�理，二極管的伏安特性及主要參數(shù)，二極管整流、限幅和檢波電路應用，硅穩(wěn)壓管的伏安特性及主要參數(shù)。

2．理解晶體管的電流分配與放大作用，放大電路的組成原則及工作原理，放大電路的圖解分析方法。掌握晶體管的工作狀態(tài)、伏安特性及主要參數(shù)，晶體管放大電路的主要技術(shù)指標，晶體管放大電路的靜態(tài)工作點估算法、微變等效電路法，晶體管的三種基本放大電路及多級放大電路的分析計算方法，放大電路的頻率響應分析計算方法。

3．了解場效應管的結(jié)構(gòu)與類型。理解場效應管的工作原理。掌握場效應管的伏安特性及主要參數(shù)，場效應管微變等效電路，場效應管放大電路的靜態(tài)分析方法和動態(tài)分析方法，場效應管的三種基本放大電路。

4．了解集成電路中元器件的特點及集成運算放大器的典型結(jié)構(gòu)，電流源有源負載的基本原理，通用集成運放的電路及工作原理。理解復合管電路的結(jié)構(gòu)及特性。掌握差分放大電路的分析計算方法，集成運放的主要參數(shù)及簡化低頻等效電路。

5．理解反饋的基本概念，負反饋對放大電路性能的影響，負反饋放大電路的自激振蕩條件。掌握負反饋放大電路的基本類型、判斷方法、分析及近似計算方法。

6．理解模擬乘法器的工作原理。掌握集成運放組成的運算電路的分析方法，各種基本運算電路的結(jié)構(gòu)及工作原理，模擬乘法器的基本應用電路及分析方法。

7．了解信號檢測系統(tǒng)的基本組成。理解隔離放大器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理。掌握測量放大器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理，濾波器的基本知識，低通、高通有源濾波器的特性和分析方法，電壓比較器的特性和分析方法。

8．了解石英晶體振蕩器的基本原理。掌握正弦波自激振蕩的基本原理，RC型正弦波信號發(fā)生器、 LC型正弦波信號發(fā)生器的分析計算方法，方波、三角波、鋸齒波發(fā)生器的分析計算方法。

9．了解功率放大電路的特點和分類。理解單電源功率放大電路的工作原理。掌握乙類互補推挽功率放大電路的工作原理及主要性能指標計算，甲乙類互補推挽功率放大電路的工作原理，前置級為運放的功率放大電路的主要性能指標計算。

10．了解直流穩(wěn)壓源的組成，倍壓整流電路的基本原理，開關(guān)型穩(wěn)壓電路的基本原理。掌握單相橋式整流電路的工作原理及主要性能指標，濾波電路的工作原理及其主要參數(shù)，串聯(lián)型線性穩(wěn)壓電路的組成及工作原理，集成三端穩(wěn)壓器的分析計算方法。

“模擬電子技術(shù)”參考文獻

楊拴科，趙進全. 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第2版）, 高等教育出版社，2010,11. （普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材）

楊拴科，趙進全. 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第2版）學習指導與解題指南, 高等教育出版社，2012,09. （普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材配套參考書）

 

 

數(shù)字電子技術(shù)

一、數(shù)字邏輯基礎(chǔ)、集成邏輯門電路、鎖存器和觸發(fā)器

考試內(nèi)容

    數(shù)制和碼制、基本邏輯運算、基本定理及常用公式、邏輯函數(shù)及其表示方法、邏輯函數(shù)的卡諾圖、邏輯函數(shù)的化簡方法。

數(shù)制和碼制、基本邏輯運算、基本定理及常用公式、邏輯函數(shù)及其表示方法、邏輯函數(shù)的卡諾圖、邏輯函數(shù)的化簡方法。

CMOS集成門電路、TTL集成邏輯門、集成門電路的外特性及參數(shù)、OC門和三態(tài)邏輯門電路、邏輯門電路使用中的幾個實際問題。

考試要求

1．理解數(shù)制和碼制的概念，掌握幾種常用數(shù)制及轉(zhuǎn)換方法，掌握補碼概念，掌握8421BCD、ASCII碼，了解余3碼、格雷碼、奇偶校驗碼等。

2．掌握邏輯運算基本定理及常用公式，掌握邏輯函數(shù)的幾種表達方式及相互轉(zhuǎn)換方法。掌握邏輯函數(shù)的兩種化簡方法。熟練掌握基本邏輯運算、同或、異或和與或非的方框型和特殊形狀邏輯符號。

3．了解集成TTL與非門內(nèi)部電路工作原理，理解集成門電路的外特性，即傳輸特性、輸入特性、輸出特性以及輸入端負載特性。掌握噪聲容限和扇出數(shù)的計算。理解CMOS邏輯門的結(jié)構(gòu)特點，了解TTL和CMOS門的區(qū)別，掌握集電極開路（包括漏極開路門）和三態(tài)門點各自特點及應用。

二、可編程邏輯器件（PLD）

考試內(nèi)容

PLD發(fā)展和分類、低密度PLD的結(jié)構(gòu)和應用。CPLD和FPGA的各自結(jié)構(gòu)特點和區(qū)別，不要求掌握高密度PLD的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

考試要求

1．了解PLD的發(fā)展、分類和應用。掌握幾種低密度PLD的結(jié)構(gòu)及應用。

2．理解PLD的編程方法。掌握CPLD和FPGA特點和區(qū)別。

三、組合和時序邏輯電路的分析和設計

考試內(nèi)容

組合邏輯電路的基本概念和器件符號、門級組合邏輯電路的分析和設計、編碼器和譯碼器、多路選擇器、加法器和比較器、基于MSI（中規(guī)模器件）組合邏輯電路的分析和設計。

時序邏輯電路的結(jié)構(gòu)、分類和描述方式、基于觸發(fā)器的時序電路的分析和設計、集成計數(shù)器、寄存器和移位寄存器、基于MSI時序邏輯電路的分析和設計。

考試要求

1．理解組合邏輯電路和時序電路的定義。掌握時序邏輯電路的結(jié)構(gòu)、分類和描述方式。

2．掌握基于門和觸發(fā)器的電路設計和分析方法。

3．熟悉MSI符號和功能表（不需要記憶，給出符號和功能表能理解并使用），掌握教材中幾種常用中規(guī)模器件的特點和應用。

4．掌握基于MSI的組合和時序邏輯電路設計和分析方法。

四、 脈沖產(chǎn)生與整形電路

考試內(nèi)容

施密特觸發(fā)器及應用、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器及應用、石英晶體多諧振蕩器及應用、555定時器及其應用。

考試要求

1．理解施密特觸發(fā)器、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和多諧振蕩器的概念。

2．掌握集成施密特觸發(fā)器的符號，會看集成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和555定時器的功能表和符號。

3．掌握集成施密特觸發(fā)器、集成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和555定時器應用（分析和設計）。

五、半導體存儲器

考試內(nèi)容

存儲器基本概念（分類和性能指標）、隨機存取存儲器、只讀存儲器、集成存儲器芯片及擴展和應用。

考試要求

1．了解存儲器分類和性能指標。通過存儲單元結(jié)構(gòu)理解隨機存取存儲器和只讀存儲器特點。

2．了解RAM、EPROM、EEPROM等幾種集成存儲器的型號、符號等。

3．掌握集成存儲器的引腳信息、容量、擴展方法和應用等。

六、數(shù)/模和模/數(shù)轉(zhuǎn)換

考試內(nèi)容

D/A轉(zhuǎn)換器原理和特性參數(shù)、集成DAC應用、采樣保持器、A/D轉(zhuǎn)換器原理和特性參數(shù)、集成ADC器件。

考試要求

1．了解ADC和DAC的原理、作用、主要參數(shù)和誤差。理解采樣保持器的原理和作用。

2．掌握并行比較型、逐次漸近型和雙積分型ADC的優(yōu)缺點。

3．掌握集成DAC的應用。

“數(shù)字電子技術(shù)”參考文獻

（教材選擇下面前兩本之一即可）

張克農(nóng),寧改娣,趙進全,金印彬. 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ). 第2版. 高等教育出版社. 2010.7（普通高等教育“十二五”國家級規(guī)劃教材）

寧改娣,金印彬,張虹. 數(shù)字電子技術(shù)與微處理器基礎(chǔ)（上冊）——現(xiàn)代數(shù)字電子技術(shù). 西安電子科技大學出版社. 2015.2

寧改娣,劉濤,金印彬,趙進全編.數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)（第2版）學習指導與解題指南. 高等教育出版社. 2013.9